GaN 解決方案：小型封裝應對大型雷達挑戰

X-波段（8 GHz 到 12 GHz）雷達是適用于商業導航的一個關鍵設備。航空是大量采用 X-波段雷達設備的一大主要領域，同時該設備還廣泛部署于眾多應用領域，包括無人機、海上船舶交通管制、氣象監測、機場附近的鳥類活動監測以及防冰凍遙感等。

根據市場調研機構 Strategy Analytics 報告，X-波段雷達是最大的雷達細分市場。該波段雷達的銷售額在 2018 年接近 63 億美元，而相應開支的復合年均增長率預計在3.4%，將在 2028 年達到 87億美元。

但并不是任何 X-波段雷達都具有顯著的增長機會。有源電子掃描陣列（AESA）系統愈來愈受到研發的青睞。該系統主要運用于大型機載平臺上，同時在陸地和海事細分市場也有采用。

AESA 的挑戰

AESA 系統使用有源陣列，每個陣列擁有數百甚至數千根天線。每一根天線均有其各自的相位和增益控制。天線元件的單個波陣面的干涉或疊加可生成平面波，能有效地產生向特定方向前進的無線電波束。AESA 雷達系統通過轉移天線元件的相位，對波束進行電子控制。

天線元件的間距通常為半波長，以減少近場中的暴露。AESA 雷達同時也常常需要在寬范圍的高頻率內擴散信號。這樣的頻率捷變可以讓雷達快速地搜索扇形區中的目標。這也使得它們更難以在背景噪聲中被探測到。這能夠讓船舶和飛機發出大功率的雷達信號，同時保持隱蔽，并帶來更出色的抗干擾能力。

這些要求為工程師們帶來了一些挑戰：每個天線元件必須足夠小型和輕量，從而容得下微小的波長間隔，同時要讓整體系統尺寸和重量在空中和海上使用時可控。然而，根據不同的應用，雷達系統必須足夠強大，能夠在任意地方輸出從幾百瓦到高達 100 kW 的功率。因此，雷達系統需要高效的散熱能力，但這又增加了尺寸和重量。

在諸多此類使用案例之中，需要根據 尺寸、重量、功率和成本 (SWaP-C) 對系統進行評估。僅僅替換系統中的幾個元件，并不會對這些考慮因素產生太大的影響。因此，能夠賦能 AESA 雷達系統的技術必須要在 SWaP-C 改進方面表現出顯著的優勢。

賦能技術：GaN

能夠幫助雷達設計者克服功率、散熱、重量和尺寸、以及成本效益等諸多挑戰的技術，便是氮化鎵 （GaN）。這種材料的電子遷移率高。并且相較于硅而言，基于 GaN 器件的柵極電荷低、輸出電容低，能夠更高效率地在更高頻率中產生更高的增益。

GaN 的能帶隙寬，并且擁有極高的臨界擊穿電場，這將帶來出色的高溫可靠性、出眾的高供電電壓下的魯棒性，以及優異的功率密度。

將碳化硅（SiC）作為 GaN 的襯底，能實現較低的熱膨脹、較低的晶格失配，以及出色的熱導率，進而充分發揮 GaN 的特性。4H-半絕緣多型體SiC的熱導率為 430 W/mK，而硅的熱導率則低到了 146 W/mK。這能夠實現非常高的功率密度，同時能夠高效地散熱，避免達到讓設備無法運行的[敏感詞]溝道溫度。

因此，AESA 雷達中的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）放大器能夠在更小體積中實現更高性能和等效輸出功率，同時節省散熱需求。但是要顯著體現 SWaP-C 的改進優勢，在器件技術方面還需要做更多。

封裝是關鍵

AESA 雷達系統等相控陣的進一步發展，需要減小尺寸，也需要對元件進行更緊密的集成。

單片微波集成電路（MMIC）便是此類技術之一，它能將多個元件的完整功能模塊制造在單個設備中，進而提高電路密度。MMIC 還有一些額外的優勢，包括減少元件失配、減少信號延遲（由于 MMIC 上元件之間的距離更短）、并減少整體物料清單 (BoM) 成本。

MMIC 采用方形扁平無引腳（QFN）封裝，能夠帶來進一步降低成本和減小尺寸的優勢。由于 QFN 封裝采用短鍵合引線，有助于降低引線電感，其暴露在外的銅裸芯片焊盤提供出色的熱學性能。

Wolfspeed CMPA901A020S 器件便采用了 6 × 6 mm QFN 封裝，這是一款 20W 的 GaN-on-SiC 高功率放大器，能夠在 9 GHz 至 10 GHz 頻率范圍內工作，適用于海洋氣象雷達這樣的脈沖雷達應用。該放大器擁有三級增益，能夠提供大于 30 dB 的大信號增益和大于 50% 的效率，能夠滿足更低的系統直流功率要求，并為簡化系統熱管理解決方案提供支持。

Wolfspeed CMPA9396025S 是另一款 GaN MMIC ，能夠集成諸多技術，帶來 SWaP-C 改進的最大化。該三級器件針對 9.3-GHz 至 9.6-GHz 工作而設計，采用 6 × 6 mm QFN 封裝，在 100-µs 脈沖寬度、占空比為 10% 條件下的功率為 25 W。

MMIC 放大器中的 Wolfspeed CMPA801B030 系列，在 7.9-GHz 到 11-GHz 頻率范圍內工作，能夠支持在 X-波段中實現更寬的帶寬和更高的功率。其輸出典型值高達 40 W，大信號增益大于 20 dB，功率附加效率達 40%。該產品系列采用 7 × 7 mm 的塑料二次注塑成型 QFN，同樣提供裸芯片和 10 引腳金屬 / 陶瓷安裝凸緣 flanged 封裝，從而帶來更出眾的電氣性能和熱學性能。

▲ Wolfspeed CMPA801B030 提供裸芯片和高度緊湊封裝，帶來 SWaP-C 改進的最大化

備注：以上所列所有器件 ECCN均為3A001.b.2

賦能雷達技術變革

Strategy Analytics 認為，上述的此類 GaN 器件有利于推動迅速增加的各類平臺更快速地采用 AESA 雷達，而雷達系統的 GaN 開支將從 2018 年的 1.718 億美元上升至 2028 年的 7.341 億美元。


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